Número do Produto do Fabricante:
2N5551 TIN/LEAD
Product Overview
Fabricante:
Central Semiconductor Corp
DiGi Electronics Número da Peça:
2N5551 TIN/LEAD-DG
Descrição:
TRANS NPN 160V 0.6A TO92-3
Descrição Detalhada:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 600 mA 300MHz 625 mW Through Hole TO-92-3
Inventário:
2287 Pcs Novo Original Em Estoque
12790017
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2N5551 TIN/LEAD Especificações Técnicas
Categoria
Bipolar (BJT), Transistores Bipolares Simples
Fabricante
Central Semiconductor
Embalagem
Bulk
Série
-
Status do produto
Active
Tipo de transistor
NPN
Corrente - Coletor (Ic) (Máx.)
600 mA
Tensão - Quebra do Emissor do Coletor (Máx.)
160 V
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic
200mV @ 5mA, 50mA
Corrente - Corte do coletor (máx.)
50nA (ICBO)
Ganho de corrente CC (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Potência - Máx.
625 mW
Frequência - Transição
300MHz
Temperatura de operação
-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote / Estojo
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-92-3
Folha de Dados & Documentos
Recursos de design
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
-2N5551-DG
-2N5551CS-DG
2N5551CS-DG
-2N5551
2N5551CS
-1583-2N5551TIN/LEAD
1514-2N5551TIN/LEAD
2N5551_D26Z
-2N5551CS TIN/LEAD
Pacote padrão
1
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
RoHS non-compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certificação DIGI
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